检测项目
覆盖产品
检测能力
参考标准
功率循环试验（PC）
IGBT模块
ΔTj=100℃ 电压电流1800A 12V
IEC 客户自定义
高温反偏试验（HTRB）
MOSFET、IGBODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件
温度150℃； 电压2000V
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温门试验（HTGB）
MOSFET、SiC MOS等单管器件
温度150℃； 电压2000V
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温工作寿命试验（HTOL）
MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
温度150℃ 电压2000V
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
低温工作寿命试验（LTOL）
MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
温度80℃ 电压2000V
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温储存试验（HTSL）
MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度150℃；
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
低温储存试验（LTSL）
MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度80℃
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温高湿试验（THB）
MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度180℃ 湿度范围：10%~98%
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高低温循环试验（TC）
MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度范围：-80℃~220℃
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
间歇寿命试验（IOL）功率循环试验（PC）
MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件
ΔTj≧100℃ 电压电流48V，10A
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
稳态功率试验（SSOL）
MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件
ΔTj≧100℃ 电压电流48V，10A
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高加速应力试验（HAST）
MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度130℃/110℃ 湿度85%
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
*无偏压的高加速应力试验（UHAST）
MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度130℃ 湿度85%
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温蒸煮试验（PCT）
MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度121℃ 湿度100%
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
预处理试验（Pre-con）
所有SMD类型器件
设备满足各个等的试验要求
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
潮气敏感度等试验（MSL）
所有SMD类型器件
设备满足各个等的试验要求
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
*可焊性试验（Solderability）
MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
有铅、无铅均可进行
美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
