检测项目
覆盖产品
检测能力
参考标准
直流参数
MOSFET、IGBODE等模块产品；
检测电压：7500V 检测电流：6000A
国标，IEC
雪崩能量
MOSFET、IGBODE，第三代半导体器件等单管器件
检测电压：2500V 检测电流：200A
美军标
栅电阻
MOSFET、IGBT及第三代半导体器件
检测阻0.1Ω～50Ω
JEDEC
开关时间
MOSFET、IGBODE及第三代半导体单管器件；
检测电压：1200V 检测电流：200A
美军标，国标，IEC等
开关时间
IGBT等模块产品
检测电压：2700V 检测电流：4000A
国标，IEC
反向恢复
MOSFET、IGBODE及第三代半导体器件等单管器件
检测电压：1200V 检测电流：200A
美军标，国标，IEC等
反向恢复
IGBT等模块产品
检测电压：2700V 检测电流：4000A
国标，IEC
栅电荷
MOSFET、IGBODE及第三代半导体器件等单管器件
检测电压：1200V 检测电流：200A
美军标，国标，IEC等
栅电荷
IGBT等模块产品
检测电压：2700V 检测电流：4000A
国标，IEC
短路耐量能力
MOSFET、IGBODE及第三代半导体器件等单管器件
检测电压：1200V 检测电流：1000A
美军标，国标，IEC等
短路耐量能力
IGBT等模块产品
检测电压：2700V 检测电流：10000A
国标，IEC
结电容
MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件
检测电压：3000V
IEC
参数曲线扫描
MOSFET、IGBODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线
检测电压：3000V 检测电流：1500A 温度：-70°C~180°C
美军标，IEC等
热阻性能
MOSFET、IGBODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管产品
功率：250W
美军标，JEDEC
热阻性能
IGBT等模块产品
功率：4000W
美军标，JEDEC
ESD能力
MOSFET、IGBT、IC等产品
HBM电压：8000V；MM电压：800V
美军标，ANSI，JEDEC等
*正向浪涌能力
DIODE（Si/SiC）、整流桥
检测电流：800A
美军标，国标
