光刻技术，又称为光刻工艺、光复印工艺，是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其基本原理是利用光的特性，通过光源、掩膜、光敏材料和显影等步骤，将图案传输到待加工的基片上。具体来说，光经过掩膜的透明区域照射到光敏材料上，使其发生化学或物理变化，然后通过显影去除未曝光的光敏材料，z终形成所需的图案。
光刻技术的主要过程包括掩膜制作、感光剂涂覆、曝光、显影、图案传递等步骤，具体如下：
掩膜制作：在一个透明基底上制作出所需的芯片图形，并将其覆盖在半导体材料上。掩膜版上的图形决定了z终转移到基片上的图案。
感光剂涂覆：在半导体材料表面涂覆一层感光剂（即光刻胶）。感光剂的选择取决于波长和能量，它会在光照下发生化学或物理变化。
曝光：利用光刻机将设计好的芯片图形中的紫外光（或其他光源）通过掩膜传递到感光剂上。这些光通过曝光过程，使得感光剂在光照区域发生化学或物理变化。
显影：化学变化使得感光剂在光照区域变得可溶于相应的显影溶液。而未经光照的区域则保持不变，形成一种光刻图案。
图案传递：经过显影处理后，利用化学或物理方法将光刻图案传递到半导体材料表面，例如通过刻蚀技术将图案转移到基片上。
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