系统概述：
ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体功率器件图示系统，系统IV曲线自动生成，也可根据实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。提供在线故障判断，遇到器件接触不良时系统自动停止测试。通过USB或者RS232与电脑连接，以及人机界面操作，即可完成测试，并实现结果以Excel和Date的格式保存。
曲线测试： 参数条件：
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01 |
二极管 / DIODE |
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02 |
晶体管 / NPN型/PNP型 |
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03 |
J型场效应管 / J-FET |
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04 |
MOS场效应管 / MOS-FET |
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05 |
双向可控硅 / TRIAC |
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06 |
可控硅 / SCR |
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07 |
绝缘栅双极性晶体管 / IGBT |
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08 |
硅触发可控硅 / STS |
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09 |
达林顿阵列 / DARLNTON |
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10 |
光电耦合 / OPTO-COUPLER |
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11 |
继电器 / RELAY |
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12 |
稳压、齐纳二极管 / ZENER |
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13 |
三端稳压器 / REGULATOR |
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14 |
光电开关 / OPTO-SWITCH |
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其它器件共19大类27分类 |
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS / HFE vs. IC
BVCE（O，S，R，V）vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT）vs. IC
VBE（SAT）vs. IC
VBE（ON）vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT）vs. IB at a range of ICVF vs. IF
匹配规格
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主极电压 |
1mV-2000V |
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电压分辨率 |
1mV |
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主极电流 |
0.1nA-100A |
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电流分辨率 |
0.1nA |
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测试精度 |
0.2%+2LSB |
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测试速度 |
0.5mS/参数 |
测试参数：
漏电参数：IR、 ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、
ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、
IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、
BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR 、VD+、VD-、
BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、
VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、
VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)
Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL
增益参数：hFE、CTR、gFS
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulatio
间接参数：IL
