一：性能特点
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A：加压式电光晶体调Q驱动电源 B：晶压1.2-4.2kV可调，10V步进 C：加压脉冲边沿＜10ns D：恢复时间快，小于10μs E：触发延迟低抖动 F：内部集成10kHz信号发生器 G：支持外触发，光耦隔离触发信号 |
H：差分式输出高压接口 I：集成触发延时器，延时范围1-999μs J:带有一路同步输出信号，LVTTL电平 K:外触发支持频率计功能 L：高压关闭时可作为信号源使用
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二：应用范围 (驱动“普克尔斯盒”)
A：KDP B：LiNbO3 C：其它
三：电源参数
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类型 |
数值 |
单位 |
备注 |
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输出电压 |
1200-4200 |
V |
步进10V |
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高压脉冲上升沿 |
<10.0 |
nS |
当负载＜10pF时， |
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调Q晶体 |
KDP、LiNbO3 |
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延时 |
1-999 |
μs |
z大延迟不超过1/f-脉宽 |
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脉宽* |
1-999 |
μs |
z大脉宽不超过1/f-延时 |
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高压恢复时间 |
＜10 |
μS |
当负载为3pF时，10%至90% |
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输出接口 |
高压BNC |
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差分输出，加压调Q |
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电源输入 |
220 |
V |
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功耗 |
<20 |
W |
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工作频率 |
0-10k |
Hz |
支持单脉冲工作 |
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触发信号上升沿 |
<1 |
uS |
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触发信号z高电平 |
3.3-5.0 |
V |
TTL电平 |
*：高压输出脉宽调节为选配功能。
四：调Q驱动简介
图1 前面板图
图2 后面板图
